在膜片鉗技術(shù)的發(fā)展過程中主要形成了五種記錄模式，即細(xì)胞貼附模式（cell-attachedmode或loose-seal-cellattachedmode）、膜內(nèi)面向外模式（inside-outmode）、膜外面向外模式（outside-outmode）、常規(guī)全細(xì)胞模式（conventionalwhole-cellmode）和穿孔膜片模式（perforatedpatchmode）。a.亞細(xì)胞水平：細(xì)胞貼附模式，可記錄通過電極下膜片中通道蛋白的離子電流(紅色虛線箭頭)。在全細(xì)胞膜片鉗中，膜片破裂，因此可以記錄全細(xì)胞的宏觀電流，它表示整個(gè)細(xì)胞的總和電流(藍(lán)色虛線箭頭)。b.細(xì)胞水平：來自神經(jīng)元不同部分的全細(xì)胞同步記錄可確定信號傳遞的方向。c.神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)水平：全細(xì)胞記錄可以在一個(gè)連接神經(jīng)元的小網(wǎng)絡(luò)中進(jìn)行。d.活物水平：可以在執(zhí)行任務(wù)或自由走動(dòng)的動(dòng)物大腦中進(jìn)行全細(xì)胞記錄。借助膜片鉗技術(shù)，開啟細(xì)胞膜離子通道的高精度研究之旅！美國高通量全自動(dòng)膜片鉗高阻抗封接

全細(xì)胞膜片鉗記錄(Whole-cellpatch-clamprecording)是一種早期且使用頻繁的鉗夾技術(shù)，相當(dāng)于連續(xù)單電極電壓鉗夾記錄，也就是說，全細(xì)胞記錄類似于傳統(tǒng)的細(xì)胞內(nèi)記錄，但具有更大的優(yōu)勢，如分辨率高、噪聲低、穩(wěn)定性好、細(xì)胞內(nèi)成分可控等。全細(xì)胞記錄技術(shù)測量一個(gè)細(xì)胞內(nèi)所有通道的電流，記錄過程中電極的溶液代替原生質(zhì)的成分。雖然膜片鉗記錄技術(shù)相對于原來的單電極電壓鉗有了很大的進(jìn)步，尤其是在單離子通道鉗記錄中，細(xì)胞或腦片的組織選擇和實(shí)驗(yàn)溶液的制備仍然是非常重要的步驟。德國高通量全自動(dòng)膜片鉗細(xì)胞功能特性微電極的制備膜片鉗電極是用外徑為1-2mm的毛細(xì)玻璃管拉制成的。

一、記錄設(shè)備首先，盡可能完善膜片鉗記錄設(shè)備是實(shí)驗(yàn)前的重要步驟，如用模型細(xì)胞測定電子設(shè)備、安裝并測試應(yīng)用軟件、調(diào)節(jié)光學(xué)顯微鏡、檢驗(yàn)防震工作臺等。二、微電極的制備膜片鉗電極是用外徑為1-2mm的毛細(xì)玻璃管拉制成的。標(biāo)準(zhǔn)的毛細(xì)玻璃管（外經(jīng)1.5mm，管壁厚0.3mm）適合于制作單通道記錄的微電極，而全細(xì)胞記錄則應(yīng)選管壁較?。?.16mm）的毛細(xì)玻璃管，這樣可以使電極阻抗較低。三、封接（Sealing）技術(shù)封接（seal）是膜片鉗記錄的關(guān)鍵步驟之一。封接不好噪聲太大必然影響細(xì)胞膜電信號的記錄，一般要求封接阻抗至少20GΩ才可進(jìn)行常規(guī)記錄。為了形成良好封接必須保持清潔的溶液、良好的視野以及適當(dāng)?shù)碾姌O鍍膜。為了獲得較好的"千兆歐封接"，細(xì)胞表面必須裸露以便微電極前列能接觸細(xì)胞，細(xì)胞的大小也是成功記錄的個(gè)因素，一般選擇10-20um的細(xì)胞比較理想。

對電極持續(xù)施加一個(gè)1mV、10～50ms的階躍脈沖刺激，電極入水后電阻約4～6MΩ，此時(shí)在計(jì)算機(jī)屏幕顯示框中可看到測試脈沖產(chǎn)生的電流波形。開始時(shí)增益不宜設(shè)得太高，一般可在1～5mV/pA，以免放大器飽和。由于細(xì)胞外液與電極內(nèi)液之間離子成分的差異造成了液結(jié)電位，故一般電極剛?cè)胨畷r(shí)測試波形基線并不在零線上，須首先將保持電壓設(shè)置為0mV，并調(diào)節(jié)“電極失調(diào)控制“使電極直流電流接近于零。用微操縱器使電極靠近細(xì)胞，當(dāng)電極前列與細(xì)胞膜接觸時(shí)封接電阻指示Rm會(huì)有所上升，將電極稍向下壓，Rm指示會(huì)進(jìn)一步上升。通過細(xì)塑料管向電極內(nèi)稍加負(fù)壓，細(xì)胞膜特性良好時(shí)，Rm一般會(huì)在1min內(nèi)快速上升，直至形成GΩ級的高阻抗封接。一般當(dāng)Rm達(dá)到100MΩ左右時(shí)，電極前列施加輕微負(fù)電壓(-30～-10mV)有助于GΩ封接的形成。此時(shí)的現(xiàn)象是電流波形再次變得平坦，使電極超極化由-40到-90mV，有助于加速形成封接。為證實(shí)GΩ封接的形成，可以增加放大器的增益，從而可以觀察到除脈沖電壓的首尾兩端出現(xiàn)電容性脈沖前列電流之外，電流波形仍呈平坦?fàn)睢Ｌ喜┥颰OP-Bright專注基于多種離子通道靶點(diǎn)的化合物體外篩選,服務(wù)于全球藥企的膜片鉗公司,快速獲得實(shí)驗(yàn)結(jié)果,專業(yè)團(tuán)隊(duì),7*55小時(shí)隨時(shí)人工在線咨詢.膜片鉗80%的工夫在于刺備細(xì)胞。

目前，絕大多數(shù)離子通道的一級結(jié)構(gòu)得到了闡明但根本的還是要搞清楚各種離子通道的三維結(jié)構(gòu)，在這方面，美國的二位科學(xué)家彼得阿格雷和羅德里克麥金農(nóng)做出了一些開創(chuàng)性的工作，他們到用X光繞射方法得到了K離子通道的三維結(jié)構(gòu)，二位因此獲得2003年諾貝系化學(xué)獎(jiǎng)。有關(guān)離子通道結(jié)構(gòu)不是本PPT的重點(diǎn)，可參考楊寶峰的和Hill的